HORIBA堀场制作所 等离子体发射控制器
- 产品名称：HORIBA堀场制作所 等离子体发射控制器
- 产品型号：RU-1000
- 产品厂商：HORIBA堀场制作所
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HORIBA堀场制作所 等离子体发射控制器
的详细介绍HORIBA堀场制作所 等离子体发射控制器RU-1000
HORIBA堀场制作所 等离子体发射控制器RU-1000
HORIBA堀场制作所 等离子体发射控制器RU-1000
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HORIBA 开发的光学技术和 HORIBA STEC 提供的气体控制技术相结合，使等离子体控制技术取得了进一步的发展。RU-100 等离子体发射控制器通过控制过渡区，优化大面积、高容量腔室内的等离子体分布，确保长溅射过程中的等离子体稳定化（稳定沉积）以及用于反应溅射的化合物的混合优化，实现更快的沉积速率。
概要
优点
快速且高度可靠的反馈控制
RU-1000 等离子体发射控制器利用新开发的算法执行快速和高度可靠的反馈控制客户可以更改 PID 值，因此可以针对特定条件优化设置
等离子体发射的优异信噪比特性
使用准直器和其他光学元件进行优化设计，以准确测量等离子体发射的光量的微小变化
特殊的用户友好软件
该特殊软件的设计考虑了客户的需求，确保**的可操作性。HORIBA 还可以根据客户需求开发定制软件。
特征
RU-1000 等离子体发射控制器可在大表面积基板上实现出色的沉积空间分布。
反应溅射用于在触控面板的薄膜和玻璃基板上进行薄膜沉积。该方法用于通过溅射颗粒和氧气、氮气或类似物在真空室中的化学反应形成沉积膜。薄膜沉积在反应模式和金属模式之间的过渡区域显著加速，金属模式的薄膜沉积速率更快。该过渡区域可通过调节等离子体发射强度和电源来控制反应气体来维持。
RU-1000 等离子体发射控制器将薄膜沉积速率加快到与金属模式相当的速率，并在大表面积基板上实现出色的沉积分布。该装置捕获从光电倍增管装置（PMT）和等离子体电源传输的代表等离子体状态的信号，并采用 HORIBA STEC 编写的算法来控制同样由该公司开发的高响应质量流量控制器。
控制反应气体的流量以维持金属模式和反应模式之间的过渡区域。
HORIBA STEC制造的新型控制技术应用于等离子发射检测和气流控制。
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检测特定波长的等离子体发射强度 设计用于捕获等离子体发射的 PMT 装置可以直接安装在真空室中。等离子体发射可以通过光纤从真空室引导到 PMT 装置。可根据情况选择任一选配。 |
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| 2. |
执行质量流量控制器的反馈控制 一个控制器可以控制多达四个 PMT 装置和四个质量流量控制器。可捕获来自等离子体电源的信号，而非来自 PMT 装置的信号。 |
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| 3. |
支持各种阴极条件 我们编写的原始算法实现了与 Al2O3 的出色反应溅射，而能实现这一点非常困难。该软件还验证了旋转阴极的稳定性能。 |
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| 4. |
对等离子体发射的变化高度敏感 高速响应质量流量控制器对于在监测等离子体发射变化的同时控制反应气体至关重要。HORIBA STEC 在半导体制造系统的质量流量控制器生产中占有一定的市场份额*，公司致力于为每个系统提供上等的质量流量控制器。 |
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* 根据 HORIBA STEC 在 2014 年进行的调查
适用范围
真空室的条件控制
与功能薄膜或功能基板的反应溅射在长时间的连续制程中进行。稳定的薄膜沉积过程需要实时测量改变真空室内的条件和等离子体发射，以及根据变化程度适当控制引入的反应气体的流速。
任何用于多层膜沉积的工艺都需要根据滚动和传送速度增加对每层膜的沉积速率的控制。
RU-1000 监测等离子体电源阻抗的电压信号和等离子体发射的强度。基于监控信号对质量流量控制器的反馈
帮助制造商将等离子体发射控制在应有水平，从而提高生产率。
用于制程优化的流量控制器和等离子仪器
使用一组系统测量和控制真空室内的条件。通过监控真空室内的条件并保持适合溅射工艺，确保稳定生产并提高生产率。
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